东方时讯网支持电和磁共振的高指数介电纳米结构已成为纳米光子学中用于新功能的新构件。通过周期性排列这些纳米结构，单个纳米结构的局部米氏共振与面内衍射光之间的相干干涉可以导致所谓的米氏表面晶格共振(SLR)。
中国科学院深圳先进技术研究院(SIAT)的研究人员研究了横向磁极化斜入射下的周期性硅纳米盘，发现了平面外米氏电偶极子表面晶格共振(ED-SLR)第一次。
该研究于9月7日发表在OpticsExpress上。
研究小组发现平面外的MieED-SLR可以与平面内的电偶极子SLR(ED-SLR)、磁偶极子SLR(MD-SLR)和磁四极子SLR(MQ-SLR)一起被激发。斜入射下的周期性硅纳米盘。他们发现，在相同条件下，平面外MieED-SLR的品质因数可能是平面内的四倍。
李的团队注意到，与面外等离子体ED-SLR不同的是亚辐射或暗模式，面外MieED-SLR可以被视为亮模式，并且具有明显的近场光学分布和分散关系。
“这是因为MieED-SLR的偶极场是由位移电流引起的，而等离子体ED-SLR是由自由电子气引起的，”该研究的通讯作者李广元博士说。
研究人员还发现，平面外MieED-SLR可以在正常入射时定义连续体中的对称保护束缚态。这是因为面外MieED-SLR不允许在垂直入射时发射。对于小入射角，品质因数甚至可以高达104。
“这项工作为在介电超表面中实现MieSLR的超高质量因子提供了一种新方法，”李博士说，“此外，多极SLR的共存为操纵光物质相互作用开辟了新的前景。”