三星推出业界首款24Gb/s速度的GDDR6内存芯片

三星推出了业界首款提供24Gb/s速度的图形双倍数据速率6(GDDR6)DRAM内存芯片。该芯片的性能将比之前的18Gb/s解决方案快约33%，同时功耗更低。

据报道，三星已开始芯片的试运。当它商用时，您可能会在下一代便携式计算机、人工智能和高性能计算系统、游戏机等中看到它。

技术方面，该芯片采用HKMG(High-KMetalGate)技术制造，2018年首次应用于三星GDDR6内存。据说用HKMG材料代替绝缘体可以减少泄漏并提高性能。此外，该产品采用10纳米(1z)级深紫外(EUV)光刻工艺。

该芯片还将具有低功耗选项，以帮助延长笔记本电脑的电池寿命，采用动态电压变化(DVS)技术，可根据性能要求自动调整工作电压。三星将发布20和16Gb/s芯片，在1.1V时将实现约20%的更高功率效率;与行业标准1.35V相比。