三星投资150亿美元的新半导体研发中心破土动工

三星电子周五在韩国器兴的新半导体研发中心破土动工，目标是扩大其在尖端半导体技术方面的领导地位。

这家韩国科技巨头计划到 2028 年在该综合体投资约 20 万亿韩元(150 亿美元)，其器兴园区占地约 109,000 平方米。新设施显然将引领内存和系统半导体的下一代设备和工艺的先进研究，以及基于公司长期路线图的创新新技术的开发。

三星希望通过建立新的研发设施来超越半导体规模的限制，增强其在半导体技术方面的竞争优势。

早在 2019 年，三星就表示打算到 2030 年将 133 万亿韩元(今天为 1000 亿美元，2019 年为 1150 亿美元)用于半导体研发。该业务将 73 万亿韩元(546 亿美元)用于韩国的研发业务，从而投资 150 亿美元一个单一的研发基地完全符合这一战略。

新的研发中心将与三星现有的华城研发线(专注于内存、系统 LSI 和代工技术)和该公司的平泽生产基地合作。

“我们新的最先进的研发综合体将成为创新中心，来自世界各地的最优秀的研究人才可以在这里共同成长，”同时负责设备解决方案 (DS) 部门的总裁 Kye Hyun Kyung 说. “我们预计这个新的开始将为我们半导体业务的可持续增长奠定基础。”

这是三星首个如此规模的半导体研发设施，将推动该公司创造更具竞争力的逻辑和存储芯片的雄心。